加工完成的晶圓需透過切割(sawing)製程將晶粒(die)切割分離以執行後續封裝工序。隨著現代電子產品的體積愈趨輕薄短小，晶片尺寸亦不斷微縮，相同晶圓尺寸內切割的晶粒數量愈來愈多，切割道也愈來愈窄，增加晶粒邊緣崩裂的風險。因此，確實檢出晶圓在切割製程(Wafer Die-Saw)中所造成的崩裂對於後續封裝製程的良率控制至關重要。